Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NDD03N50Z-1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
565565NDD03N50Z-1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD03N50Z-1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NDD03N50Z-1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NDD03N50Z-1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 Ohm @ 1.15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    58W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Muud nimed
    NDD03N50Z-1G-ND
    NDD03N50Z-1GOS
    NDD03N50Z1G
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    274pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NDD03N50Z-1G" seotud tooted.
NDD04N50ZT4G

NDD04N50ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N60ZT4G

NDD03N60ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD01N60T4G

NDD01N60T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N40ZT4G

NDD03N40ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N60Z-1G

NDD04N60Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD02N40T4G

NDD02N40T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD05N50ZT4G

NDD05N50ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N80ZT4G

NDD03N80ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD02N60ZT4G

NDD02N60ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N60ZT4G

NDD04N60ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD05N50Z-1G

NDD05N50Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N60Z-1G

NDD03N60Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N50Z-1G

NDD04N50Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N360U1-1G

NDD60N360U1-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N50ZT4G

NDD03N50ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD01N60-1G

NDD01N60-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD03N40Z-1G

NDD03N40Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.