Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NDD60N900U1-1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5227627NDD60N900U1-1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NDD60N900U1-1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NDD60N900U1-1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NDD60N900U1-1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    74W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    360pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NDD60N900U1-1G" seotud tooted.
NDD05N50Z-1G

NDD05N50Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N50ZT4G

NDD04N50ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDDP010N25AZ-1H

NDDP010N25AZ-1H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N60Z-1G

NDD04N60Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N745U1-1G

NDD60N745U1-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD05N50ZT4G

NDD05N50ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N550U1-35G

NDD60N550U1-35G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N550U1-1G

NDD60N550U1-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N745U1-35G

NDD60N745U1-35G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N745U1T4G

NDD60N745U1T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N360U1-1G

NDD60N360U1-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD04N60ZT4G

NDD04N60ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDDP010N25AZT4H

NDDP010N25AZT4H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N550U1T4G

NDD60N550U1T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N900U1T4G

NDD60N900U1T4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDD60N900U1-35G

NDD60N900U1-35G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDDL01N60ZT4G

NDDL01N60ZT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NDDL01N60Z-1G

NDDL01N60Z-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.