Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > NGTB30N120IHSWG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6557403NGTB30N120IHSWG piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTB30N120IHSWG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NGTB30N120IHSWG
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 30A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NGTB30N120IHSWG.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 30A
  • Testimise tingimus
    600V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -/210ns
  • Switching Energy
    1mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    192W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    NGTB30N120IHSWG-ND
    NGTB30N120IHSWGOS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    220nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 192W Through Hole TO-247
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    200A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    60A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NGTB30N120IHSWG" seotud tooted.
NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N60IHLWG

NGTB30N60IHLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N135IHR1WG

NGTB30N135IHR1WG

Kirjeldus: IGBT 1350V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120FL2WG

NGTB25N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A TO247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120FL2WAG

NGTB25N120FL2WAG

Kirjeldus: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N60SWG

NGTB30N60SWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 189W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N120L2WG

NGTB30N120L2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 534W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N120IHRWG

NGTB30N120IHRWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 384W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 452W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N135IHRWG

NGTB30N135IHRWG

Kirjeldus: IGBT 1350V 60A 394W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N120LWG

NGTB30N120LWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120SWG

NGTB25N120SWG

Kirjeldus: IGBT 25A 1200V TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

Kirjeldus: IGBT 600V 70A 300W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N60FWG

NGTB30N60FWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 167W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N60FLWG

NGTB30N60FLWG

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 250W TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120FLWG

NGTB25N120FLWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A TO247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120IHLWG

NGTB25N120IHLWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB25N120LWG

NGTB25N120LWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG

Kirjeldus: IGBT 1200V 30A TO247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.