Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > NJVMJD122T4G-VF01
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4105424NJVMJD122T4G-VF01 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD122T4G-VF01

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.274
5000+
$0.255
12500+
$0.252
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NJVMJD122T4G-VF01
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NJVMJD122T4G-VF01.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    100V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 8A, 80mA
  • Transistori tüüp
    NPN - Darlington
  • Pakkuja seadme pakett
    DPAK
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    1.75W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    NJVMJD122T4G
    NJVMJD122T4G-ND
    NJVMJD122T4G-VF01OSTR
    NJVMJD122T4GOSTR
    NJVMJD122T4GOSTR-ND
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    10µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    8A
  • Baasosa number
    MJD122

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NJVMJD122T4G-VF01" seotud tooted.
NJVBUB323ZT4G

NJVBUB323ZT4G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJB41CT4G

NJVMJB41CT4G

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD127T4G

NJVMJD127T4G

Kirjeldus: IC TRANS PNP 8A 100V DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD31CRLG

NJVMJD31CRLG

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD117T4G

NJVMJD117T4G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD148T4G-VF01

NJVMJD148T4G-VF01

Kirjeldus: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVBDX53C

NJVBDX53C

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJV4031NT3G

NJV4031NT3G

Kirjeldus: TRANS NPN 40V 3A SOT223

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJB45H11T4G

NJVMJB45H11T4G

Kirjeldus: TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD31CG

NJVMJD31CG

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD112G

NJVMJD112G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD253T4G-VF01

NJVMJD253T4G-VF01

Kirjeldus: TRANS PNP 100V 4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD112T4G

NJVMJD112T4G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 4A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD2955T4G

NJVMJD2955T4G

Kirjeldus: TRANS PNP 60V 10A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJB42CT4G

NJVMJB42CT4G

Kirjeldus: TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJB44H11T4G

NJVMJB44H11T4G

Kirjeldus: TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NJVMJD210T4G

NJVMJD210T4G

Kirjeldus: TRANS PNP 25V 5A DPAK-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.