Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > NSVB143TPDXV6T1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3992041NSVB143TPDXV6T1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSVB143TPDXV6T1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NSVB143TPDXV6T1G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistori tüüp
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-563
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    -
  • Takisti - alus (R1)
    4.7 kOhms
  • Võimsus - maks
    357mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-563, SOT-666
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSVB143TPDXV6T1G" seotud tooted.
NSVBAS16WT3G

NSVBAS16WT3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G

Kirjeldus: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60601MZ4T3G

NSV60601MZ4T3G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB144EPDXV6T1G

NSVB144EPDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBAS116LT3G

NSVBAS116LT3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBAS16TT1G

NSVBAS16TT1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60600MZ4T3G

NSV60600MZ4T3G

Kirjeldus: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60601MZ4T1G

NSV60601MZ4T1G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBAS20LT3G

NSVBAS20LT3G

Kirjeldus: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60600MZ4T1G

NSV60600MZ4T1G

Kirjeldus: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Kirjeldus: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV9435T1G

NSV9435T1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSV60201LT1G

NSV60201LT1G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSVBAS19LT1G

NSVBAS19LT1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.