Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > NTGD4167CT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5880971

NTGD4167CT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.53
10+
$0.444
100+
$0.333
500+
$0.244
1000+
$0.189
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NTGD4167CT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NTGD4167CT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    900mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    NTGD4167CT1GOSCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    30 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.6A, 1.9A
  • Baasosa number
    NTGD4167C

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NTGD4167CT1G" seotud tooted.
NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3443T2G

NTGS3443T2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3441T1

NTGS3441T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3433T1G

NTGS3433T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3441BT1G

NTGS3441BT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3441PT1G

NTGS3441PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3443BT1G

NTGS3443BT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD1100LT1

NTGD1100LT1

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3443T1

NTGS3443T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGD3147FT1G

NTGD3147FT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3441T1G

NTGS3441T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.