Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > NTJD5121NT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3406357NTJD5121NT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD5121NT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.06
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NTJD5121NT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NTJD5121NT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Võimsus - maks
    250mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    NTJD5121NT1G-ND
    NTJD5121NT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    44 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    26pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    295mA
  • Baasosa number
    NTJD5121N

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "NTJD5121NT1G" seotud tooted.
NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT4

NTJD4401NT4

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4152PT2G

NTJD4152PT2G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT2

NTJS3151PT2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT2G

NTJS3157NT2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT1

NTJD4401NT1

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4152PT1

NTJD4152PT1

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT4

NTJS3157NT4

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT4G

NTJD4401NT4G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS4151PT1

NTJS4151PT1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4401NT2G

NTJD4401NT2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4158CT2G

NTJD4158CT2G

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT2

NTJS3157NT2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTJS3157NT4G

NTJS3157NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.