Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NTMSD6N303R2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6445401

NTMSD6N303R2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NTMSD6N303R2G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NTMSD6N303R2G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32 mOhm @ 6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    NTMSD6N303R2GOS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    950pF @ 24V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Isolated)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NTMSD6N303R2G" seotud tooted.
NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS4939NR2G

NTMS4939NR2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD3P102R2G

NTMSD3P102R2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD3P303R2G

NTMSD3P303R2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD3P102R2SG

NTMSD3P102R2SG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD6N303R2SG

NTMSD6N303R2SG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS7N03R2

NTMS7N03R2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMSD3P102R2

NTMSD3P102R2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS4937NR2G

NTMS4937NR2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.