Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVE4153NT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1911418NVE4153NT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.179
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVE4153NT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVE4153NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±6V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-89
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    300mW (Tj)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-89, SOT-490
  • Muud nimed
    NVE4153NT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVE4153NT1G" seotud tooted.
AON6566P

AON6566P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 27A DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
PSMN012-100YLX

PSMN012-100YLX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IRF520NSPBF

IRF520NSPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF1503SPBF

IRF1503SPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AON6510

AON6510

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
BSS7728N

BSS7728N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF610LPBF

IRF610LPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SS05N70AKMA1

SS05N70AKMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTP80N10T

IXTP80N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDBL0110N60

FDBL0110N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PSMN017-80PS,127

PSMN017-80PS,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXFE39N90

IXFE39N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMFS5C460NLT1G

NTMFS5C460NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.