Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVJS4151PT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5171648NVJS4151PT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVJS4151PT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.161
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVJS4151PT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVJS4151PT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    NVJS4151PT1G-ND
    NVJS4151PT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    44 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVJS4151PT1G" seotud tooted.
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRF7426TR

IRF7426TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDMS8672S

FDMS8672S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A POWER56

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
AO3404A_104

AO3404A_104

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SOT23

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP5N20L

FQP5N20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN338P

FDN338P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RE1J002YNTCL

RE1J002YNTCL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RV2C001ZPT2L

RV2C001ZPT2L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SPU30P06P

SPU30P06P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AOK40N30L

AOK40N30L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 40A TO247

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRFR3505TRPBF

IRFR3505TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STP24NM60N

STP24NM60N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.