Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVMFS5113PLT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6594956NVMFS5113PLT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5113PLT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1500+
$0.792
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVMFS5113PLT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVMFS5113PLT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 17A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.8W (Ta), 150W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    NVMFS5113PLT1G-ND
    NVMFS5113PLT1GOSTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    50 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 64A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVMFS5113PLT1G" seotud tooted.
NVMFS5830NLT3G

NVMFS5830NLT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5830NLWFT3G

NVMFS5830NLWFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5826NLWFT1G

NVMFS5826NLWFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C302NWFT1G

NVMFS4C302NWFT1G

Kirjeldus: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C310NWFT3G

NVMFS4C310NWFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5826NLT1G

NVMFS5826NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C310NT1G

NVMFS4C310NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C05NT1G

NVMFS4C05NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5830NLT1G

NVMFS5830NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5826NLWFT3G

NVMFS5826NLWFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C05NT3G

NVMFS4C05NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5826NLT3G

NVMFS5826NLT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G

Kirjeldus: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C310NWFT1G

NVMFS4C310NWFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C05NWFT3G

NVMFS4C05NWFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G

Kirjeldus: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C310NT3G

NVMFS4C310NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.