Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Mälukaardid, moodulid > Mälu - moodulid > A4G08QE8BLPBME
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2513045

A4G08QE8BLPBME

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
25+
$138.787
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    A4G08QE8BLPBME
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    8GB 260 PIN DDR4-2133 UNB NON-EC
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Kiirus
    2133MT/s
  • Seeria
    -
  • Pakett / kott
    260-UDIMM
  • Mälu tüüp
    DDR4 SDRAM
  • Mälu suurus
    8GB
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Täpsem kirjeldus
    Memory Module DDR4 SDRAM 8GB 2133MT/s 260-UDIMM
A4G16QE8BNPBSE

A4G16QE8BNPBSE

Kirjeldus: MOD DDR 4 SDRAM 16GB 260SODIMM

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
MT9VDDT3272PHG-265G2

MT9VDDT3272PHG-265G2

Kirjeldus: MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT5LSDT472AG-133G6

MT5LSDT472AG-133G6

Kirjeldus: MODULE SDRAM 32MB 168UDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT18HTF25672PKZ-667H1

MT18HTF25672PKZ-667H1

Kirjeldus: MODULE DDR2 SDRAM 2GB 244MRDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
A4G04QA8BLPBME

A4G04QA8BLPBME

Kirjeldus: 4GB 260 PIN DDR4-2133 UNB NON-EC

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
MT9VDVF6472G-335F4

MT9VDVF6472G-335F4

Kirjeldus: MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MTEDCBE016SAJ-1N2

MTEDCBE016SAJ-1N2

Kirjeldus: MODULE FLASH NAND SLC 16GB

Tootjad: Micron Technology
Laos
AY12M7268BLK0M

AY12M7268BLK0M

Kirjeldus: 4GB 204 PIN ULP UNBUFFERED ECC M

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
A4G08QE8BLPBSE

A4G08QE8BLPBSE

Kirjeldus: 8GB 260 PIN DDR4-2400 UNB NON-EC

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
SQR-SD3N-1G1K6SNLB

SQR-SD3N-1G1K6SNLB

Kirjeldus: DRAM DDR3L 204SODIMM

Tootjad: Advantech
Laos
AQ56M64A8BKH9M

AQ56M64A8BKH9M

Kirjeldus: 2GB 240 PIN UNBUFFERED NON ECC M

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
MT18HTF25672AY-53EA1

MT18HTF25672AY-53EA1

Kirjeldus: MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT8LSDT1664AY-133G3

MT8LSDT1664AY-133G3

Kirjeldus: MODULE SDRAM 128MB 168UDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
AW56M7218BKK0S

AW56M7218BKK0S

Kirjeldus: 2GB 204 PIN UNBUFFERED ECC SO-DI

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
AQ12M72D8BLMAM

AQ12M72D8BLMAM

Kirjeldus: 4GB 240 PIN DDR3-1866 UNBUFFERED

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
MT16VDDT6464AG-265GB

MT16VDDT6464AG-265GB

Kirjeldus: MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT72KGF4G72LZ-1G4E1A6

MT72KGF4G72LZ-1G4E1A6

Kirjeldus: MOD DDR3L SDRAM 32GB 240-LRDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT4LSDT864AY-13EG2

MT4LSDT864AY-13EG2

Kirjeldus: MODULE SDRAM 64MB 168UDIMM

Tootjad: Micron Technology
Laos
A4G04QA8BLPBSE

A4G04QA8BLPBSE

Kirjeldus: MODULE DDR 4 SDRAM 4GB 260SODIMM

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos
A4G08QA8BNPBSE

A4G08QA8BNPBSE

Kirjeldus: MODULE DDR 4 SDRAM 8GB 260SODIMM

Tootjad: ATP Electronics, Inc.
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi