Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ALD1102SAL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2328930

ALD1102SAL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.77
50+
$3.83
100+
$3.489
500+
$2.825
1000+
$2.383
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ALD1102SAL
  • Tootja / bränd
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ALD1102SAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 10µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 Ohm @ 5V
  • Võimsus - maks
    500mW
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    1014-1007
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • FET tüüp
    2 P-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    10.6V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ALD1102SAL" seotud tooted.
ALD1101BPAL

ALD1101BPAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110800APCL

ALD110800APCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1102ASAL

ALD1102ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1101ASAL

ALD1101ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1105PBL

ALD1105PBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1101PAL

ALD1101PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110800ASCL

ALD110800ASCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1102BPAL

ALD1102BPAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1101SAL

ALD1101SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1103SBL

ALD1103SBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1106PBL

ALD1106PBL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1103PBL

ALD1103PBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1102PAL

ALD1102PAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1105SBL

ALD1105SBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1102APAL

ALD1102APAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1107SBL

ALD1107SBL

Kirjeldus: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1107PBL

ALD1107PBL

Kirjeldus: MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1101BSAL

ALD1101BSAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1102BSAL

ALD1102BSAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1106SBL

ALD1106SBL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.