Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ALD110900SAL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1848693

ALD110900SAL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.45
50+
$2.769
100+
$2.523
500+
$2.043
1000+
$1.723
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ALD110900SAL
  • Tootja / bränd
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ALD110900SAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    20mV @ 1µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    EPAD®, Zero Threshold™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 4V
  • Võimsus - maks
    500mW
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    1014-1033
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    10.6V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ALD110900SAL" seotud tooted.
ALD110808SCL

ALD110808SCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110904SAL

ALD110904SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110914SAL

ALD110914SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110808PCL

ALD110808PCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110900PAL

ALD110900PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110808ASCL

ALD110808ASCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110914PAL

ALD110914PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110814PCL

ALD110814PCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908ASAL

ALD110908ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110900APAL

ALD110900APAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110904PAL

ALD110904PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110902SAL

ALD110902SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110900ASAL

ALD110900ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110814SCL

ALD110814SCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908SAL

ALD110908SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110902PAL

ALD110902PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1108EPCL

ALD1108EPCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1108ESCL

ALD1108ESCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.