Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ALD1110ESAL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4063383

ALD1110ESAL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$4.373
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ALD1110ESAL
  • Tootja / bränd
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ALD1110ESAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.01V @ 1µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 5V
  • Võimsus - maks
    600mW
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    10V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ALD1110ESAL" seotud tooted.
ALD1115SAL

ALD1115SAL

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD111910MAL

ALD111910MAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8MSOP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1117PAL

ALD1117PAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1116SAL

ALD1116SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1117SAL

ALD1117SAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD111910SAL

ALD111910SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD111910PAL

ALD111910PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110904PAL

ALD110904PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1116PAL

ALD1116PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1115MAL

ALD1115MAL

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908ASAL

ALD110908ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110914PAL

ALD110914PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110904SAL

ALD110904SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110908SAL

ALD110908SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD1115PAL

ALD1115PAL

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110914SAL

ALD110914SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
ALD110902SAL

ALD110902SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.