Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > AS4C128M32MD2A-18BIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3405624AS4C128M32MD2A-18BIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C128M32MD2A-18BIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$13.12
10+
$12.15
25+
$11.874
50+
$11.809
168+
$10.397
336+
$9.882
504+
$9.781
1008+
$9.455
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C128M32MD2A-18BIN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C128M32MD2A-18BIN.pdf
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    134-FBGA (10x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    134-VFBGA
  • Muud nimed
    1450-1463
    AS4C128M32MD2A-18BIN-ND
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (128M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Kellade sagedus
    533MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C128M32MD2A-18BIN" seotud tooted.
AS4C128M8D2-25BIN

AS4C128M8D2-25BIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D1-6TINTR

AS4C128M8D1-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCNTR

AS4C128M16MD2A-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2-18BCNTR

AS4C128M32MD2-18BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D1-6TIN

AS4C128M8D1-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2-18BCN

AS4C128M32MD2-18BCN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2A-25BINTR

AS4C128M32MD2A-25BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16D3LB-12BIN

AS4C128M16D3LB-12BIN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16MD2-25BCN

AS4C128M16MD2-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16D3LB-12BINTR

AS4C128M16D3LB-12BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16MD2-25BCNTR

AS4C128M16MD2-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D2A-25BCN

AS4C128M8D2A-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M8D2-25BCNTR

AS4C128M8D2-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M16MD2A-25BCN

AS4C128M16MD2A-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2A-25BIN

AS4C128M32MD2A-25BIN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2-18BINTR

AS4C128M32MD2-18BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C128M32MD2-18BIN

AS4C128M32MD2-18BIN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.