Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C16M16D1A-5TIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5560449AS4C16M16D1A-5TIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1A-5TIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.73
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C16M16D1A-5TIN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C16M16D1A-5TIN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR
  • Pakkuja seadme pakett
    66-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Muud nimed
    1450-1282
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (16M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    700ps

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C16M16D1A-5TIN" seotud tooted.
AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5TIN

AS4C16M16D1-5TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5BCNTR

AS4C16M16D1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCNTR

AS4C16M16MD1-6BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.