Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C16M16S-6TIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1707695AS4C16M16S-6TIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16S-6TIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C16M16S-6TIN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C16M16S-6TIN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    12ns
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    54-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Muud nimed
    1450-1001
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    256Mb (16M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C16M16S-6TIN" seotud tooted.
AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-7BCN

AS4C16M16S-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BIN

AS4C16M16MD1-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6TCNTR

AS4C16M16S-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-7BCNTR

AS4C16M16S-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16MD1-6BINTR

AS4C16M16MD1-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-7TCN

AS4C16M16S-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-7TCNTR

AS4C16M16S-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6TINTR

AS4C16M16S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16SA-6BANTR

AS4C16M16SA-6BANTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.