Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > AS4C32M16D1-5BIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3845495AS4C32M16D1-5BIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1-5BIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
240+
$4.052
480+
$4.037
720+
$3.888
1200+
$3.697
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C32M16D1-5BIN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C32M16D1-5BIN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR
  • Pakkuja seadme pakett
    60-TFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Muud nimed
    1450-1327
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (32M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    700ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C32M16D1-5BIN" seotud tooted.
AS4C2M43D1A-5BIN

AS4C2M43D1A-5BIN

Kirjeldus: DDR SDRAM

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M43D1A-5BINTR

AS4C2M43D1A-5BINTR

Kirjeldus: DDR SDRAM

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-6TIN

AS4C2M32SA-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1A-5TAN

AS4C32M16D1A-5TAN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCN

AS4C32M16D1A-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1A-5TANTR

AS4C32M16D1A-5TANTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5TINTR

AS4C32M16D1-5TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5TCN

AS4C32M16D1-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-6TCN

AS4C2M32SA-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-7TCN

AS4C2M32SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-6TINTR

AS4C2M32SA-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1A-5TCNTR

AS4C32M16D1A-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-7TCNTR

AS4C2M32SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5TCNTR

AS4C32M16D1-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16D1-5BCN

AS4C32M16D1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.