Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C32M16SB-6TINTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1560993AS4C32M16SB-6TINTR piltAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16SB-6TINTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$10.705
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C32M16SB-6TINTR
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    AS4C32M16SB-6TINTR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    12ns
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    54-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (32M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C32M16SB-6TINTR" seotud tooted.
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7BINTR

AS4C32M16SA-7BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SB-7TCNTR

AS4C32M16SB-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.