Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C512M8D3LB-12BCN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
543233AS4C512M8D3LB-12BCN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3LB-12BCN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$10.55
10+
$9.773
25+
$9.551
50+
$9.499
220+
$8.362
440+
$7.949
660+
$7.867
1100+
$7.605
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C512M8D3LB-12BCN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C512M8D3LB-12BCN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3L
  • Pakkuja seadme pakett
    78-FBGA (10.5x9)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    78-VFBGA
  • Muud nimed
    1450-1462
    AS4C512M8D3LB-12BCN-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    4Gb (512M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9)
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C512M8D3LB-12BCN" seotud tooted.
AS4C512M8D3LB-12BIN

AS4C512M8D3LB-12BIN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1A-6TCN

AS4C64M16D1A-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BIN

AS4C512M8D3LA-12BIN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BCN

AS4C512M8D3LA-12BCN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BANTR

AS4C512M8D3LA-12BANTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1A-6TCNTR

AS4C64M16D1A-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BINTR

AS4C512M8D3LA-12BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BAN

AS4C512M8D3LB-12BAN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BCNTR

AS4C512M8D3LB-12BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3L-12BINTR

AS4C512M8D3L-12BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1A-6TIN

AS4C64M16D1A-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1-6TIN

AS4C64M16D1-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1-6TCN

AS4C64M16D1-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3L-12BIN

AS4C512M8D3L-12BIN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BCNTR

AS4C512M8D3LA-12BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BINTR

AS4C512M8D3LB-12BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1-6TINTR

AS4C64M16D1-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16D1-6TCNTR

AS4C64M16D1-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LB-12BANTR

AS4C512M8D3LB-12BANTR

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C512M8D3LA-12BAN

AS4C512M8D3LA-12BAN

Kirjeldus: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.