Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C64M32MD1-5BCN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5533131AS4C64M32MD1-5BCN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C64M32MD1-5BCN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$11.60
10+
$10.741
25+
$10.498
50+
$10.44
100+
$9.191
348+
$8.736
696+
$8.647
1044+
$8.359
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C64M32MD1-5BCN
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    AS4C64M32MD1-5BCN.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pakkuja seadme pakett
    90-FBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    90-VFBGA
  • Muud nimed
    1450-1304
    AS4C64M32MD1-5BCN-ND
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (64M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C64M32MD1-5BCN" seotud tooted.
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1-6BCNTR

AS4C64M16MD1-6BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1-6BIN

AS4C64M16MD1-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1-6BCN

AS4C64M16MD1-6BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD2A-25BCN

AS4C64M16MD2A-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.