Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C8M16D1-5TIN
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2235237AS4C8M16D1-5TIN piltAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1-5TIN

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C8M16D1-5TIN
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR
  • Pakkuja seadme pakett
    66-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Muud nimed
    1450-1160-5
    AS4C8M16D1-5TIN-ND
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    700ps
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C64M8D3L-12BINTR

AS4C64M8D3L-12BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1A-5TCNTR

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C64M8D3L-12BIN

AS4C64M8D3L-12BIN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi