Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > AS4C8M16SA-7BCNTR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5403064AS4C8M16SA-7BCNTR piltAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-7BCNTR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$2.973
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AS4C8M16SA-7BCNTR
  • Tootja / bränd
    Alliance Memory, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    AS4C8M16SA-7BCNTR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    14ns
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    54-TFBGA (8x8)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    54-TFBGA
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Kellade sagedus
    143MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5.4ns

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "AS4C8M16SA-7BCNTR" seotud tooted.
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6BANTR

AS4C8M16SA-6BANTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Alliance Memory, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.