Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > AOH3110
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2022360AOH3110 piltAlpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3110

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    AOH3110
  • Tootja / bränd
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.AOH3110.pdf
    2.AOH3110.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-223
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 900mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.1W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-261-4, TO-261AA
  • Muud nimed
    785-1486-1
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    100pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "AOH3110" seotud tooted.
BSS123L

BSS123L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK9832-55A/CUX

BUK9832-55A/CUX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
AOH3254

AOH3254

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IXFT12N100

IXFT12N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXTM5N100

IXTM5N100

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AOH3106

AOH3106

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
NTD20N03L27

NTD20N03L27

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NP40N10YDF-E1-AY

NP40N10YDF-E1-AY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
IPP100N06S2L05AKSA1

IPP100N06S2L05AKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQP6N60C

FQP6N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Kirjeldus: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.