Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > CXDM1002N TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6268851CXDM1002N TR piltCentral Semiconductor

CXDM1002N TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.518
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    CXDM1002N TR
  • Tootja / bränd
    Central Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    CXDM1002N TR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-89
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-243AA
  • Muud nimed
    CXDM1002N TR LEAD FREE
    CXDM1002N TR PBFREE
    CXDM1002N TR-ND
    CXDM1002NTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "CXDM1002N TR" seotud tooted.
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
CXDM6053N TR

CXDM6053N TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
CXDIMCONTRBD

CXDIMCONTRBD

Kirjeldus: 8-CHANN DIMM CONTROL OPTION BRD

Tootjad: Thomas Research Products
Laos
RFQ
IPC218N06N3X7SA1

IPC218N06N3X7SA1

Kirjeldus: MV POWER MOS

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
CXDM3069N TR

CXDM3069N TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
CXDM4060N TR

CXDM4060N TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
IPS60R650CEAKMA1

IPS60R650CEAKMA1

Kirjeldus: CONSUMER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
CXDM4060P TR

CXDM4060P TR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5C430NAFT3G

NVMFS5C430NAFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 35A 185A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RDX045N60FU6

RDX045N60FU6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
NVATS5A112PLZT4G

NVATS5A112PLZT4G

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
CSD19536KCS

CSD19536KCS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO-220

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
CXDL2.5

CXDL2.5

Kirjeldus: CONN TERM BLK FEED THRU 12-24AWG

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
IPB70N04S406ATMA1

IPB70N04S406ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
CXDB35/10A

CXDB35/10A

Kirjeldus: CONN TERM BLK DIST 2-14AWG

Tootjad: Altech Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.