Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5406-G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
59735411N5406-G piltComchip Technology

1N5406-G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1200+
$0.08
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5406-G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-27 (DO-201AD)
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Box (TB)
  • Pakett / kott
    DO-201AD, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 125°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
  • Baasosa number
    1N5406
1N5406-E3/73

1N5406-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5406G A0G

1N5406G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5406-E3/54

1N5406-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5406

1N5406

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
1N5404RLG

1N5404RLG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5405

1N5405

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5406G-T

1N5406G-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
1N5406-E3/51

1N5406-E3/51

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5406-T

1N5406-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
1N5405-E3/54

1N5405-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5406G

1N5406G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
1N5406-B

1N5406-B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
1N5406-TP

1N5406-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
1N5406

1N5406

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
1N5404TA

1N5404TA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Tootjad: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi