IM02EBR10J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

IM02EBR10J
Tootja / bränd

Dale / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IM-2 .1 5% EB E2
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

IM02EBR10J.pdf
Tüüp

Molded
Tolerants

±5%
Pakkuja seadme pakett

Axial
Suurus / mõõde

0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
Varjestus

Unshielded
Seeria

IM
Hinnangud

-
Q @ Freq

40 @ 25MHz
Pakend

-
Pakett / kott

Axial
Töötemperatuur

-55°C ~ 105°C
Paigaldus tüüp

Through Hole
Materjal - tuum

Phenolic
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Induktiivsagedus - test

25MHz
Induktiivsus

100nH
Kõrgus - istutatud (max)

-
Sagedus - Self Resonant

680MHz
Omadused

-
Täpsem kirjeldus

100nH Unshielded Molded Inductor 1.35A 80 mOhm Max Axial
DC-takistus (DCR)

80 mOhm Max
Praegune hindamine

1.35A
Praegune - küllastus

-

Järgnev on "IM02EBR10J" seotud tooted.

IM02EB8R2J

Kirjeldus: IM-2 8.2 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR12J

Kirjeldus: IM-2 .12 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR12K

Kirjeldus: IM-2 .12 10% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR10K

Kirjeldus: FIXED IND 100NH 1.35A 80 MOHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB6R8K

Kirjeldus: FIXED IND 6.8UH 175MA 2 OHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR15K

Kirjeldus: FIXED IND 150NH 1.2A 100 MOHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB8R2K

Kirjeldus: FIXED IND 8.2UH 155MA 2.7 OHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB680K

Kirjeldus: IM-2 68 10% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB681K

Kirjeldus: IM-2 680 10% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR15J

Kirjeldus: IM-2 .15 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR18K

Kirjeldus: IM-2 .18 10% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB5R6K

Kirjeldus: FIXED IND 5.6UH 185MA 1.8 OHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB4R7K

Kirjeldus: FIXED IND 4.7UH 230MA 1.2 OHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB5R6H

Kirjeldus: IM-2 5.6 3% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR27J

Kirjeldus: IM-2 .27 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB6R8J

Kirjeldus: IM-2 6.8 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR18J

Kirjeldus: IM-2 .18 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR22J

Kirjeldus: IM-2 .22 5% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EB560K

Kirjeldus: FIXED IND 56UH 100MA 5.7 OHM TH

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

IM02EBR22K

Kirjeldus: IM-2 .22 10% EB E2

Tootjad: Dale / Vishay

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

IM02EBR10J

Küsi hinnapakkumist

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

IM02EB8R2J

IM02EBR12J

IM02EBR12K

IM02EBR10K

IM02EB6R8K

IM02EBR15K

IM02EB8R2K

IM02EB680K

IM02EB681K

IM02EBR15J

IM02EBR18K

IM02EB5R6K

IM02EB4R7K

IM02EB5R6H

IM02EBR27J

IM02EB6R8J

IM02EBR18J

IM02EBR22J

IM02EB560K

IM02EBR22K

Vali keel

Praegune keel