Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5401-B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
12813761N5401-B piltDiodes Incorporated

1N5401-B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$0.174
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5401-B
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    1N5401-B.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-201AD
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-201AD, Axial
  • Muud nimed
    1N5401-BDI
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 3A Through Hole DO-201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N5401

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5401-B" seotud tooted.
1N5401-TP

1N5401-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
1N5401-E3/54

1N5401-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5401G-T

1N5401G-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5401

1N5401

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5401-G

1N5401-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
1N5400RL

1N5400RL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5401/54

1N5401/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5400GHA0G

1N5400GHA0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5401

1N5401

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5401GHA0G

1N5401GHA0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5401G

1N5401G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5400RLG

1N5400RLG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N5401G B0G

1N5401G B0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5400TA

1N5400TA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Laos
RFQ
1N5400GHB0G

1N5400GHB0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5400T-G

1N5400T-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
1N5401-T

1N5401-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N5401-E3/73

1N5401-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5400GHR0G

1N5400GHR0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N5400GP-TP

1N5400GP-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.