Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > BS870-7-F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
379834BS870-7-F piltDiodes Incorporated

BS870-7-F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.066
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BS870-7-F
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BS870-7-F.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    BS870-FDITR
    BS8707F
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    50pF @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 250mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "BS870-7-F" seotud tooted.
BS803F7024

BS803F7024

Kirjeldus: BOX ABS GRAY 8.24"L X 3.86"W

Tootjad: Bopla Enclosures
Laos
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
BS800DIRAL1003

BS800DIRAL1003

Kirjeldus: GASKET YEL FOR BS 800 ENCLOSURE

Tootjad: Bopla Enclosures
Laos
RFQ
IRL3303S

IRL3303S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AO4435_102

AO4435_102

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IXFL40N110P

IXFL40N110P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
BS800DIRAL7024

BS800DIRAL7024

Kirjeldus: GASKET DRK GRY BS 800 ENCLOSURE

Tootjad: Bopla Enclosures
Laos
RFQ
BS800F7024

BS800F7024

Kirjeldus: BOX ABS GRAY 8.24"L X 3.86"W

Tootjad: Bopla Enclosures
Laos
RFQ
NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G

Kirjeldus: TRENCH 8 80V NFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5C604NLWFAFT1G

NVMFS5C604NLWFAFT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTA80N10T7

IXTA80N10T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
BS870Q-7-F

BS870Q-7-F

Kirjeldus: MOSFET 41V 60V SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BS800DIRAL5005

BS800DIRAL5005

Kirjeldus: GASKET BLUE FOR BS 800 ENCLOSURE

Tootjad: Bopla Enclosures
Laos
RFQ
BS870-7

BS870-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NVMFS5C468NT1G

NVMFS5C468NT1G

Kirjeldus: 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFH8334TR2PBF

IRFH8334TR2PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI3424DV-T1-GE3

SI3424DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BS8I-MC

BS8I-MC

Kirjeldus: BATTERY SNAP 9V 8" LEADS

Tootjad: MPD (Memory Protection Devices)
Laos
RFQ
SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BS8P-SHF-1AA(LF)(SN)

BS8P-SHF-1AA(LF)(SN)

Kirjeldus: CONN HEADER R/A 8POS NH

Tootjad: JST
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.