Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DI9435T
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1640437DI9435T piltDiodes Incorporated

DI9435T

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DI9435T
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    DI9435T.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 5.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
  • Muud nimed
    DI9435
    DI9435CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DI9435T" seotud tooted.
DI9945T

DI9945T

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DI9942T

DI9942T

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DI9952T

DI9952T

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FQA160N08

FQA160N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6661JTXL02

2N6661JTXL02

Kirjeldus: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXTH6N150

IXTH6N150

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NTMFS5C646NLT3G

NTMFS5C646NLT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RSQ015N06TR

RSQ015N06TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AUIRFR120Z

AUIRFR120Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DI9405T

DI9405T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SPP15P10P

SPP15P10P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DI9430T

DI9430T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SPD04N50C3BTMA1

SPD04N50C3BTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFR6215TRL

IRFR6215TRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DI9956T

DI9956T

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLBD59N04ETRLP

IRLBD59N04ETRLP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DI9400T

DI9400T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.