Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG3415U-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4579196DMG3415U-7 piltDiodes Incorporated

DMG3415U-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.104
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG3415U-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMG3415U-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    900mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    DMG3415U7
    DMG3415UDITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    294pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG3415U-7" seotud tooted.
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.