Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMG4N65CT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3175937

DMG4N65CT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.29
50+
$1.03
100+
$0.902
500+
$0.699
1000+
$0.552
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMG4N65CT
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMG4N65CT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.19W (Ta)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    DMG4N65CTDI
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    900pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMG4N65CT" seotud tooted.
DMG564010R

DMG564010R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG564040R

DMG564040R

Kirjeldus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Kirjeldus: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Kirjeldus: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.