Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMHC6070LSD-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6775627DMHC6070LSD-13 piltDiodes Incorporated

DMHC6070LSD-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.483
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMHC6070LSD-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMHC6070LSD-13.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 1A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.6W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    DMHC6070LSD-13DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    731pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.1A, 2.4A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMHC6070LSD-13" seotud tooted.
STS4DPF20L

STS4DPF20L

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
DMHA14R5V353M4ATA0

DMHA14R5V353M4ATA0

Kirjeldus: SUPERCAPACITOR

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
PHN210,118

PHN210,118

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMHS-1

DMHS-1

Kirjeldus: STRAP DMM HANGING

Tootjad: Greenlee Communications
Laos
RFQ
DMH-E-001

DMH-E-001

Kirjeldus: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Kirjeldus: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMH-E-003

DMH-E-003

Kirjeldus: CONN BACKSHELL E/9 POS DIECAST

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMHE001

DMHE001

Kirjeldus: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
FDPC8011S

FDPC8011S

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDS8949

FDS8949

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMH-A-001

DMH-A-001

Kirjeldus: CONN HOOD DSUB 15-DA ZINC-DIECAS

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
NDS9933A

NDS9933A

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMH-A-003

DMH-A-003

Kirjeldus: CONN BACKSHELL DB15 DIECAST

Tootjad: Bel
Laos
RFQ
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
EM6K7T2R

EM6K7T2R

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.