Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN2026UVT-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6157052DMN2026UVT-13 piltDiodes Incorporated

DMN2026UVT-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.141
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN2026UVT-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN2026UVT-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TSOT-26
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.15W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    DMN2026UVT-13DI
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    887pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.4nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN2026UVT-13" seotud tooted.
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Kirjeldus: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028USS-13

DMN2028USS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.