Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN3042LFDF-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
84569DMN3042LFDF-7 piltDiodes Incorporated

DMN3042LFDF-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.157
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3042LFDF-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3042LFDF-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    DMN3042LFDF-7-ND
    DMN3042LFDF-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    570pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 7A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3042LFDF-7" seotud tooted.
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.