Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > DMN3135LVT-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4565357DMN3135LVT-7 piltDiodes Incorporated

DMN3135LVT-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.55
10+
$0.462
100+
$0.347
500+
$0.254
1000+
$0.196
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN3135LVT-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN3135LVT-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    TSOT-26
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Võimsus - maks
    840mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    DMN3135LVT-7DICT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    305pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.1nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.5A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN3135LVT-7" seotud tooted.
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.