Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMN6013LFGQ-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5671054DMN6013LFGQ-13 piltDiodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.375
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMN6013LFGQ-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMN6013LFGQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerDI3333-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2577pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.3A (Ta), 45A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMN6013LFGQ-13" seotud tooted.
DMN5L06VA-7

DMN5L06VA-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06W-7

DMN5L06W-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601VK-7

DMN601VK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601WK-7

DMN601WK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06VK-7

DMN5L06VK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601TK-7

DMN601TK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601DWKQ-7

DMN601DWKQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601K-7

DMN601K-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6013LFG-13

DMN6013LFG-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN601VKQ-7

DMN601VKQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06V-7

DMN5L06V-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN6013LFGQ-7

DMN6013LFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN5L06WK-7

DMN5L06WK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.