Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMNH10H028SCT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3398844

DMNH10H028SCT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.69
50+
$1.352
100+
$1.183
500+
$0.918
1000+
$0.725
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMNH10H028SCT
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMNH10H028SCT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.8W (Ta)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    DMNH10H028SCTDI-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1942pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMNH10H028SCT" seotud tooted.
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Kirjeldus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Kirjeldus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNF2-63FIB-C

DMNF2-63FIB-C

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Kirjeldus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNF2-488FIB-C

DMNF2-488FIB-C

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Kirjeldus: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNF2-63-C

DMNF2-63-C

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Kirjeldus: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Tootjad: Panduit
Laos
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.