Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMNH4011SK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6976834DMNH4011SK3-13 piltDiodes Incorporated

DMNH4011SK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.443
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMNH4011SK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    DMNH4011SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.6W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    DMNH4011SK3-13DI
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1405pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMNH4011SK3-13" seotud tooted.
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH6008SCTQ

DMNH6008SCTQ

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 15A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Kirjeldus: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.