Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMP1081UCB4-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6226825DMP1081UCB4-7 piltDiodes Incorporated

DMP1081UCB4-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.302
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMP1081UCB4-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMP1081UCB4-7.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    650mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    -6V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-WLB1010-4
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    820mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-UFBGA, WLBGA
  • Muud nimed
    DMP1081UCB4-7DITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    350pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    0.9V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 3A (Ta), 3.3A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta), 3.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMP1081UCB4-7" seotud tooted.
DMP1100UCB4-7

DMP1100UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1055USW-13

DMP1055USW-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1096UCB4-7

DMP1096UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1080UCB4-7

DMP1080UCB4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1046UFDB-13

DMP1046UFDB-13

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1055USW-7

DMP1055USW-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1022UFDF-7

DMP1022UFDF-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 9A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1200UFR4-7

DMP1200UFR4-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1245UFCL-7

DMP1245UFCL-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1046UFDB-7

DMP1046UFDB-7

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1045U-7

DMP1045U-7

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.