Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMT3006LFDF-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6731047DMT3006LFDF-13 piltDiodes Incorporated

DMT3006LFDF-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10000+
$0.171
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMT3006LFDF-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMT3006LFDF-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    800mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-UDFN Exposed Pad
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    3.7V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 14.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMT3006LFDF-13" seotud tooted.
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT2P68K-F

DMT2P68K-F

Kirjeldus: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

Kirjeldus: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

Kirjeldus: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT3006LDK-7

DMT3006LDK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.