Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > DMTH10H030LK3-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1955813

DMTH10H030LK3-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DMTH10H030LK3-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET NCH 100V 28A TO252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DMTH10H030LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252-4L
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 28A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "DMTH10H030LK3-13" seotud tooted.
DMTH4004SCTBQ-13

DMTH4004SCTBQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Kirjeldus: MOSFET 100V 108A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Kirjeldus: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4004SCTB-13

DMTH4004SCTB-13

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMTH4004LPS-13

DMTH4004LPS-13

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.