Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - sildalaldid > KBJ410G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
661046KBJ410G piltDiodes Incorporated

KBJ410G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
20+
$0.974
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    KBJ410G
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    RECT BRIDGE GPP 4A 1000V KBJ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    KBJ410G.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    1kV
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 2A
  • Tehnoloogia
    Standard
  • Pakkuja seadme pakett
    KBJ
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    4-SIP, KBJ
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    22 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Single Phase
  • Täpsem kirjeldus
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBJ
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    4A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "KBJ410G" seotud tooted.
KBJ601G

KBJ601G

Kirjeldus: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 6A KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ4005G

KBJ4005G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ401G

KBJ401G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 100V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
KBJ608G

KBJ608G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 800V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ401G

KBJ401G

Kirjeldus: RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ406G

KBJ406G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 600V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
KBJ6005G

KBJ6005G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 50V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ408G

KBJ408G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
KBJ404G

KBJ404G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ610G-BP

KBJ610G-BP

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 6A 1000V KBJ

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
KBJ406G

KBJ406G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 4A 600V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ604G

KBJ604G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 400V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ610G

KBJ610G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 1000V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ602G

KBJ602G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 200V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ410G

KBJ410G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
KBJ402G

KBJ402G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 4A 200V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ404G

KBJ404G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
KBJ606G

KBJ606G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 6A 600V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ408G

KBJ408G

Kirjeldus: RECT BRIDGE GPP 4A 800V KBJ

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
KBJ402G

KBJ402G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 200V 4A KBJ

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.