Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MMBT123S-7
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3656003MMBT123S-7 piltDiodes Incorporated

MMBT123S-7

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30000+
$0.097
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MMBT123S-7
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN 18V 1A SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    MMBT123S-7.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    18V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 30mA, 300mA
  • Transistori tüüp
    NPN
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Võimsus - maks
    300mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    MMBT123SDITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    100MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    150 @ 100mA, 1V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1µA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    1A
  • Baasosa number
    MMBT123S

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MMBT123S-7" seotud tooted.
MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

Kirjeldus: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT200A

MMBT200A

Kirjeldus: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

Kirjeldus: JFET N-CH 25V 30MA SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Kirjeldus: TRANS NPN 40V 1A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2132T3

MMBT2132T3

Kirjeldus: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

Kirjeldus: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT200

MMBT200

Kirjeldus: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2222

MMBT2222

Kirjeldus: TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT100A

MMBT100A

Kirjeldus: DIE TRANS NPN 45V GENERAL PURP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

Kirjeldus: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT123S-7-F

MMBT123S-7-F

Kirjeldus: TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
MMBFV170LT3G

MMBFV170LT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2131T1G

MMBT2131T1G

Kirjeldus: TRANS PNP 30V 0.7A SC74-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2132T3G

MMBT2132T3G

Kirjeldus: TRANS NPN 30V 0.7A SC74-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT100

MMBT100

Kirjeldus: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFU310LT1

MMBFU310LT1

Kirjeldus: JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFJ310

MMBFJ310

Kirjeldus: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBFJ310LT1

MMBFJ310LT1

Kirjeldus: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMBT2222A RFG

MMBT2222A RFG

Kirjeldus: TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
MMBT2222A

MMBT2222A

Kirjeldus: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.