Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > RS3JB-13
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5198561RS3JB-13 piltDiodes Incorporated

RS3JB-13

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RS3JB-13
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    RS3JB-13.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    3A
  • Pinge - jaotus
    SMB
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Cut Tape (CT)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-214AA, SMB
  • Muud nimed
    RS3JB
    RS3JB13
    RS3JBCT
    RS3JBCT-ND
    RS3JBDICT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    250ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    RS3JB-13
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 600V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    600V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RS3JB-13" seotud tooted.
RS3JHE3/57T

RS3JHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3J-13

RS3J-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3J V7G

RS3J V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3J-M3/57T

RS3J-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3JHM6G

RS3JHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3J-13-F

RS3J-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3JHE3_A/H

RS3JHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3J M6G

RS3J M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3JHE3/9AT

RS3JHE3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3K V6G

RS3K V6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3JB-13-F

RS3JB-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
RS3J-M3/9AT

RS3J-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3J R7G

RS3J R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3JHR7G

RS3JHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3K R7G

RS3K R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3K M6G

RS3K M6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3J-E3/9AT

RS3J-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RS3GHR7G

RS3GHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
RS3J-E3/57T

RS3J-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.