Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1B-13-F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7035126US1B-13-F piltDiodes Incorporated

US1B-13-F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.46
10+
$0.346
100+
$0.215
500+
$0.147
1000+
$0.113
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1B-13-F
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS vastavust
  • Andmelehed
    US1B-13-F.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    SMA
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    50ns
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    US1B-FDICT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    US1B

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "US1B-13-F" seotud tooted.
US1B/1

US1B/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1AHM2G

US1AHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1B R3G

US1B R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1AHE3/5AT

US1AHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1BFA

US1BFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
US1B-TP

US1B-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
US1B M2G

US1B M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1AFA

US1AFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
US1AHR3G

US1AHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
US1B-13

US1B-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.