Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXM62N03E6TA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5118192ZXM62N03E6TA piltDiodes Incorporated

ZXM62N03E6TA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXM62N03E6TA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    ZXM62N03E6TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-6
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.1W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    SOT-23-6
  • Muud nimed
    ZXM62N03E6DKR
  • Töötemperatuur
    -
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXM62N03E6TA" seotud tooted.
ZXM61N03FTC

ZXM61N03FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM64N03XTA

ZXM64N03XTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM41N10FTA

ZXM41N10FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM62N03GTA

ZXM62N03GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61P03FTC

ZXM61P03FTC

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61N02FTC

ZXM61N02FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM62P03E6TC

ZXM62P03E6TC

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM63N02E6TA

ZXM63N02E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM62P03GTA

ZXM62P03GTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM64N035GTA

ZXM64N035GTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM41N10FTC

ZXM41N10FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM64N02XTC

ZXM64N02XTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.