Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ZXMC3F31DN8TA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1766165ZXMC3F31DN8TA piltDiodes Incorporated

ZXMC3F31DN8TA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$0.414
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMC3F31DN8TA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMC3F31DN8TA.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.8W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    ZXMC3F31DN8TADI
    ZXMC3F31DN8TADI-ND
    ZXMC3F31DN8TADITR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.8A, 4.9A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMC3F31DN8TA" seotud tooted.
ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3A17DN8TC

ZXMC3A17DN8TC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD63C02XTC

ZXMD63C02XTC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD63C03XTA

ZXMD63C03XTA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD63N02XTA

ZXMD63N02XTA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC4559DN8TC

ZXMC4559DN8TC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD63C02XTA

ZXMD63C02XTA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.