Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ZXMHC6A07N8TC
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2639998ZXMHC6A07N8TC piltDiodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.24
10+
$1.102
100+
$0.871
500+
$0.675
1000+
$0.533
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMHC6A07N8TC
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMHC6A07N8TC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Võimsus - maks
    870mW
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    ZXMHC6A07N8DIDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.39A, 1.28A
  • Baasosa number
    ZXMHC6A07

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMHC6A07N8TC" seotud tooted.
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD65N03N8TA

ZXMD65N03N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMD65N02N8TA

ZXMD65N02N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.